石英玻璃应用半导体主要还是因为石英玻璃含量是硅，那么半导体加工应用中使用的具有低杂质含量且低缺陷密度的石英玻璃锭是什么？。该石英玻璃锭通过使用直接拉制的石英制品作为原料而制成。有什么作用，如何制作？
用于微芯片制作的半导体晶片加工过程需要包括顺序的且重复的步骤，如掩模、沉积和蚀刻。在蚀刻步骤中，晶片和发生蚀刻的腔室暴露在侵蚀性环境中，如活性离子蚀刻和等离子体蚀刻。由于蚀刻工艺的侵蚀特性，从而，为了进行可靠的晶片加工，必须小心选择蚀刻腔室的材料。
因而，最内侧的蚀刻腔室部件通常是由石英玻璃制得。理论上，蚀刻纯的石英玻璃只会出释放硅和氧。相比于过渡金属元素和其他元素会改变晶片的组成、并且因而改变晶片的半导体性质，硅和氧对晶片的危害较小。腔室部件的一个例子是石英玻璃窗。在一种构造中，石英玻璃窗用作腔室气氛和能源之间的隔板。
因为该窗通常设置于要被蚀刻的半导体晶片的上方，所以要求石英玻璃窗应当尽可能的是化学纯，即含有低于50ppm的杂质。还要求该窗具有非常低的体缺陷密度，这些体缺陷例如是外来杂质夹杂物和气泡。当这种体缺陷暴露在石英玻璃窗表面处的蚀刻气氛中时，会引起对该窗的不均匀蚀刻，因而产生石英玻璃颗粒。
此刻腔室中的自由颗粒物质会对晶片造成严重损害。相对于晶片表面上的蚀刻特征（大约so纳米）来说，这种颗粒的尺寸（1——10微米）使得该颗粒具有相当大的潜在破坏性。这些颗粒会堵塞晶片上的栅极并且破坏晶片上的导电通道，或者使晶片被杂质元素污染。
因而，晶片蚀刻腔室需要能緩慢且均匀地蚀刻而不会产生颗粒的石英玻璃窗。现有技术中已知使用基于砂子的焰熔法来制造石英锭。一般地，该方法涉及供给颗粒状石英物质通过或接近氧燃料火焰，从而通过具有相对低沉积速率的生长过程来逐渐形成块状玻璃锭，该沉积速率例如为5磅/小时或更低，焰熔法的优点在于使单个颗粒暴露于热源的全部能量下。
然而，这种定向沉积方法的缺点在于使各个颗粒暴露于供料系统中和熔炉气氛中的污物，各个砂粒都有可能在锭中形成缺陷。单个砂粒暴露于氧燃料火焰的热辐射以及燃烧反应的产物水的影响下。这种影响产生了羟基浓度大于150ppm的石英制品，这改变了熔融玻璃的与温度相关的粘度，因而限制了其最终用途。
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